MRAM独特功能可以替换现有内存

在所有不断涌现的存储器中，非易失性存储器MRAM似乎最有可能被广泛采用。而这种情况是否会很快发生，既取决于制造工艺的进步，也取决于支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统的改善。
 
目前MRAM是在单独的晶圆厂作为“后端生产线”（BEOL）工艺来生产的，需要一些传统CMOS制造工艺没有使用的新设备，诸如离子束蚀刻和新的溅射靶之类。要想降低嵌入式MRAM产品的成本，其制造就需要进入CMOS晶圆厂，成为常规器件生产的一部分。
 
除了将MRAM进一步纳入制造链外，它和其它半导体制造工艺一样，质量控制和产量提高将是持续的挑战和机遇，而所有大型半导体代工厂都将MRAM内存作为嵌入式产品的一个选项，这一点非常重要。通过将MRAM集成到其嵌入式产品中，并将MRAM作为常规器件引入大批量生产流程，产量和质量问题将会得到解决，专门用于生产MRAM的独有工具也将变得更加常见，并更多地嵌入到代工生产中。这样就能降低成本，并增加可用性。
 
MRAM独特功能可以替换现有内存，比如SRAM，或者共同创建新的用例。正在设法使MRAM尽可能地和SRAM相像，二者的价值定位相同，但是在相同的占位面积内，MRAM能提供三到四倍多的内存，而且不会有SRAM带来的任何泄漏情况出现。然而，不断改进材料非常重要，采用一种适用于任何磁隧道结的电路级方法，这种方法能让其在耐久性方面得到重大改进，从而提高性能。
 
Everspin公司生产的MRAM有两种类型——切换MRAM和STT MRAM。STT MRAM需要控制器启用或FPGA，该公司也一直在通过其伙伴关系发展其生态系统。Everspin代理英尚国际有限公司可提供MRAM样品测试及应用解决方案等产品服务。

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