三星将MRAM用于存内计算的意义

在四大应用中，MRAM非易失性存储器是最容易实现的是独立内存，它已经存在并替换电池支持的SRAM和DRAM以及缓冲硬盘驱动器方面具有利基应用。第二应用领域是eMRAM，用于SoC。它取代了eNOR Flash，主要用于代码存储。接下来的两个应用都以SRAM为目标，但方式不同。最终的应用是能够用大量廉价的非易失性MRAM替换末级缓存。功耗较低但性能要求非常高。从2021年开始算仍需要几年的时间。
 
MRAM被称为是内存的下一次革命，从1M到1G，MRAM花了十几年的时间，目前，MRAM仍未得到大范围的商用落地。本次，三星将MRAM用于存内计算仍具有相当大的意义。
 
存内计算是上个世纪90年代发展起来的。内存计算可以从本质上消除不必要的数据搬运延迟和功耗，AI运算可以得到巨量提升。由于MRAM电阻较小，本次三星创新使用电阻加和，降低了支路上的电流，解决了MRAM器件电阻较小的问题，效率也到提升。SRAM和PRAM之前是一众巨头竞争的对象，MRAM的特性就像一座难以逾越的大山，但是本次MRAM的新思路可以将MRAM用在存算一体芯片中，而数据中心、云计算、云宇宙等都是存算一体芯片的新场景、大市场。

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本文关键词： 三星,MRAM

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