NV-SRAM在数据记录应用中优于现有存储器
2022-06-01 14:51:05
NV-SRAM(非易失性
SRAM或NVRAM)是一种独立的非易失性存储器,业界最快的 NV-SRAM,具有无限的耐用性。能够在断电时立即捕获 SRAM 数据的副本并将其保存到非易失性存储器中,并允许在不消耗电力的情况下调用数据。非常适合需要快速写入速度、高耐用性和即时非易失性的高性能可编程逻辑控制器 (PLC)、智能仪表和网络路由器等数据记录应用。
NV-SRAM的主要特征
快速访问-以20ns的速度执行随机访问读写
无限耐力-提供无限的写入和读取
节省空间-与BBSRAM相比占用更小的电路板空间
耐辐射-不受辐射引起的软错误的影响
NV-SRAM产品与EEPROM和BBSRAM(电池支持SRAM或BatRAM)解决方案相比,其消耗的有效电流更少。与电池支持的解决方案不同,NV-SRAM存储器不需要外部电池来保持电量。因此NV-SRAM适用于智能电表等数据记录应用。无限耐用性和即时非易失性确保NV-SRAM在多个数据记录应用中优于现有存储器(如EEPROM和BBSRAM)。
特征 |
非静态SRAM |
BBSRAM |
EEPROM |
密度 |
中等偏上 |
中等偏上 |
低 中 |
耐力 |
无穷 |
有限 |
低 |
保留 |
高的 |
低 |
中等 |
附加电池 |
NO |
YES |
NO |
写时间 |
快速 |
中等 |
减缓 |
本文关键词:NV-SRAM,SRAM
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