消除工业机械中SRAM电池的最佳解决方案

非易失性存储器内存铁电ram是高性能和高可靠性的一种存储器，具有高读写耐久性和快速写入速度的非易失性存储器。FRAM不需要备用电池来保存数据，与EEPROM、闪存等传统非易失性存储器相比，具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。
 
FRAM铁电随机存取存储器是一种使用铁电文件作为存储数据的电容器的存储器。即使断电也能保留内容。结合了ROM和RAM的优点，具有快速写入速度、低功耗和高读/写周期耐久性，也称为FeRAM。
 
富士通半导体已大量生产具有高读写耐久性、高速写入操作和低功耗的FRAM非易失性存储器产品。尤其是FRAM产品保证的读/写周期为10万亿周期，是竞争对手提供的非易失性存储器EEPROM的1000万倍。因此富士通FRAM产品已被用于需要频繁重写数据的工业应用，例如实时数据记录和3D定位数据记录。
 
MB85R8M2T是一种8Mbit FRAM，在富士通的FRAM非易失性存储器系列中具有比较大的密度。具有1.8V至3.6V的宽电源电压范围和兼容SRAM的并行接口。该产品是最合适的存储器，可满足正在开发工业机械并希望使用比当前4Mbit FRAM更大的密度的客户的要求，或消除对用于备份的SRAM电池的需求停电期间的数据。
 
通过在各种工业应用中使用这种新的FRAM产品替换SRAM设备，例如在设施和机器人的控制单元中，它可以消除对备用电池的需求，并且可以节省大约90%的存储部件安装面积，这有助于降低电池相关成本。


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