STT-MRAM结合了传统存储器的优点

磁阻随机存取存储器MRAM与传统类型的存储器（如SRAM、DRAM和闪存）不同，后者使用电荷来存储信息。MRAM不是利用电子的电荷，而是利用其自旋来存储数据。这种类型的电子学被称为“自旋电子学”。
 
MRAM自旋电子特性的核心是磁隧道结(MTJ)，这是一种由许多铁磁层和非磁层组成的薄膜结构。MTJ的电阻以及因此存储元件的位状态，纯粹随着这些层的极化变化而切换。由于这些材料在未通电时几乎可以永远保持其极化状态，因此MRAM与闪存、FeRAM和EEPROM一起属于非易失性存储器(NVM)阵营。
 
对于1960年代和70年代的系统设计人员来说，当半导体存储器相对较新时，标准的思维方式是“在速度和密度很重要但功率不重要时考虑易失性存储器”和“当功率和密度很重要时考虑非易失性存储器”速度不是。”这些简单的规则适用于当时可用的技术，如DRAM、SRAM和EEPROM。然而，今天的内存领域包含如此多的技术，以至于不再可能做出如此严格的区分。每种类型的内存都有其独特的优势和劣势，并且有一些“理想内存”候选者承诺结合许多技术的优势而没有弱点。一个这样的候选者是基于自旋扭矩技术的下一代MRAM，称为STT-MRAM。它承诺结合闪存的非易失性、DRAM的密度、SRAM的速度和MRAM的抗辐射性。


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