DDR6可能会面临的挑战

DDR的引入可以说是电子行业进入高速数字化的时期。ECL逻辑组件发挥了作用，但DDR存储器一直是一个典型的例子，表明数据速率随着时间的推移而稳步提高。DDR5的应用仍在推进中，但业界已经在展望DDR6 ram。
 
在DDR3之前，设计人员需要考虑设计以适应建立和保持时间以及总线上的受控阻抗。直到DDR3数据速率的高端为止，色散补偿都不是这样的问题，因为抖动开始成为信号解释中的主要问题。在低电平信号中看到的相对较小的抖动将大到足以关闭DDR3信号的眼图。因此更新了JEDEC标准以提供DDR4眼图的设计容差。
 
DDR5采用了高端DDR4数据速率，并通过使总线更快而不是更宽而再次将其翻倍。在布置并行单端网络方面，仍在处理DDR4布线挑战，但这些通道要短得多。总线也将运行得足够快，以至于误码主要由接收器处的反射损耗、任何层转换处以及色散引起。较短的通道有效地降低了总插入损耗，但回波损耗色散需要通过极高带宽的极其精确的互连阻抗设计来补偿。
 
对于DDR5，数据传输在具有双向通信的单端网络上以短脉冲形式发生。全速时钟允许在互连的每一端在读取和写入之间切换。一切都必须非常快速地切换，这需要无可挑剔的PDN设计来尽可能地抑制抖动。典型电路板上的PDN阻抗只能变得如此之低，而且DDR5中的低信号电平（最大1.1V）对数字信号施加了非常严格的纹波/抖动限制。这些以反射为主的通道问题和叠加在低电平信号上的低纹波要求现在迫使控制器在DDR5接口中使用均衡，以补偿信号失真和符号间干扰(ISI)。请注意，这种均衡已经用于高速差分串行标准（例如，SerDes通道中的LVDS）。DDR5中还有许多其他设计挑战需要考虑，但上面列出的挑战可以说是最大的挑战。

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