非易失存储芯片MRAM性能比较

MRAM可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。具有SRAM高速读取写入能力和DRAM高集成度，基本可以无限次重复写入。
 
如果把MRAM，DRAM，SRAM及FLASH等内存做比较，就只有MRAM及FLASH具有非挥发性的特色功能；但在随机存取功能上，则FLASH缺乏这种作用，只有MRAM，DRAM，SRAM具有随机存取的优点。
 
MRAM，DRAM及SRAM在写入次数上，都可以写入无限记忆，FLASH则只能写入106次。关于芯片面积，MRAM与FLASH同样是小规格的芯片，占用的空间最小；DRAM芯片面积属于中等规格，SRAM属于大面积规格的芯片，占用空间较大。
 
MRAM及SRAM在读取速度上速度最快，均为25~100ns，但MRAM仍比SRAM快;DRAM则为50～100ns，属于中速；FLASH是最慢的速度。
 
在耗电电量方面，只有MRAM及其SRAM具有低耗电的优点，FLASH属于中级耗电要求，对于中级耗电要求，DRAM也有高功耗的缺陷。
 
DRAM，SRAM，FLASH在嵌入式设计是良率低，必须提高芯片面积设计规格；MRAM不需要改进芯片面积的特殊设计。


本文关键词： MRAM,SRAM

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