瑞萨在eNVM技术中选择MRAM

在eNVM各种技术中，日本MCU大厂瑞萨选择了MRAM。MRAM全称Magnetic ram（磁性存储器），是一种基于隧穿磁阻效应的技术，拥有非易失，读写次数无限，写入速度快、功耗低，和逻辑芯片整合度高等技术特点。
 
瑞萨表示，MRAM比闪存需要更少的写入操作能量，因此特别适合数据更新频繁的应用，但随着对 MCU 数据处理能力的需求激增，改善性能和功耗之间权衡的需求也在增加，进一步降低功耗仍然是一个紧迫的问题。为了满足这一需求，瑞萨为 MRAM 开发了两种技术，分别是利用斜率脉冲的自终止写入方案和同步写入位数优化技术。最后，瑞萨在采用 16 纳米 FinFET 逻辑工艺的 20 Mbit 嵌入式 MRAM 存储单元阵列测试芯片上进行的测量证实，上述两种技术的组合可将写入能量降低 72%，并将写入脉冲应用时间缩短 50%。
 
今年6月，瑞萨再次宣布已开发出用于STT-MRAM测试的电路技术使用 22 纳米工艺制造的具有快速读写操作的芯片。瑞萨表示，随着物联网和人工智能技术的不断进步，需要采用更精细的工艺节点来制造MCU，对于亚 22 纳米工艺，在生产线后端中制造的 MRAM 与在生产线前端中制造的闪存相比具有优势，因为它与现有的 CMOS 逻辑工艺技术兼容并且需要更少的额外掩膜版。
 
但瑞萨也指出，MRAM 的读取余量过小，会降低读取速度，进而影响MCU的性能，因此需要进一步提高速度以缩短端点设备所需的无线 (OTA) 更新的系统停机时间，为此瑞萨开发了采用高精度灵敏放大电路的快速读取技术和同步写入位数优化和缩短模式转换时间的快速写入技术，经验证，在测试芯片上实现 5.9 ns 随机读取访问和 5.8 MB/s 写入吞吐量。瑞萨认为，这些新技术有可能显着提高内存访问速度超过 100 MHz，从而实现具有更高性能的集成嵌入式 MRAM 的MCU。


本文关键词：MRAM,ram,STT-MARM

相关文章：xSPI STT-MRAM--EM064LX产品系列的主要优势

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。