MCU外设芯片MRAM持久储存数据比闪存更长

MCU微控制器作为一个需要集成的CPU，SRAM，最常见的存储方式主要包括非易失性存储器及其专用外设芯片eDRAM，SRAM易失性存储器，闪存，EEPROM非易失性存储器，其中集成闪存是MCU主要特点。随着时间的推移，闪存逐渐开始成为一种约束MCU提高性能、降低功耗的瓶颈之一。
 
MRAM数据存储时间比闪存更长，MRAM与其他新兴的非挥发性技术相比，编程人员可以灵活地应用内存。工程师不再需要将程序代码限制在内NOR大小或限定数据只能在SRAM的大小，不仅优化了设计，而且通过让同样的基于MRAM的MCU在多种应用中，可以为一些客户降低成本。
 
MRAM技术是STT-MRAM，做为MRAM一种变体，其周围电子的自旋会影响MTJ极性。以其他方式的MRAM相比，STT-MRAM具有低功耗和进一步扩展的能力，虽然STT-MRAM具有与DRAM和SRAM相当特性，例如电源关闭，信息也不会丢失，和DRAM一样可随机存取；可擦写频率超过1015次，和DRAM及SRAM相当，大大超过了105次闪存等，但它似乎也可以在10nm完成以下过程，5nm引入技术节点STT-MRAM作为最后一级(L3)缓存存储器的可行性，所以很多人认为，STT-MRAM会改变“存储器(硬盘和NAND闪存)是非易失性、更高层次的内存（DRAM及SRAM）为易失性”传统的计算机架构，是领先的存储技术之一。


本文关键词：SRAM,MRAM,DRAM

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