关于嵌入式存储器的问题

先进的逻辑技术已经超过14个nm，迁移到Fin-FET结构，在过去十年或更长时间内用作嵌入式NOR闪存已经失去了跟上这些过程的能力。这种情况被称为闪存”缩放限定”，不管芯片其余的CMOS能缩小多少。闪存都无法跟上脚步，必须有新的嵌入式存储技术来结合这些先进技术ASIC和MCU。
 
内嵌式NOR闪存并不是唯一受到工艺演化影响的。SRAM面临类似的问题。随着工艺缩小到几十纳米或更小，SRAM存储单元的大小无法跟上。NOR闪存不同，SRAM存在的问题是，存储单元的尺寸不会与工艺成比例地缩小。当工艺减少50%时，可能只会减少25%。
 
这个限缩了嵌入式NOR和嵌入式 SRAM，我们应该继续按步骤缩小新存储单元技术的发展。幸运的是，这些技术已经存在并开发了多年。
 
另一个问题是，将存储技术转化为新的存储技术带来了强有力的论据，即存储器消耗了太多的电力。(IoT)当移动设备使用电池电源运行时，必须仔细选择其存储器，因为它消耗大部分电池电源，减少电池使用时间，而新的嵌入式存储技术可以降低功耗，满足这一要求。
 
下一代的移动架构也需要更高的计算水平的人工智能和边缘计算，而较低的功耗需要满足客户的期望，并在严峻的市场竞争中获胜。当然，这些必须以低成本完成，这是对当前内存技术的测试。目前大多数电池电源移动设备和其他应用程序MCU均采用CMOS工艺制造，CMOS这个过程适用于两种内存技术：NOR闪存和SRAM。尽管这些技术在CMOS在逻辑过程中很容易放置，但它们消耗的功率通常超出预期。
 
当需要更多的内存时，设计师通常会添加外部内存芯片，例如SPI NOR闪存，NAND闪存，DRAM或者是这些内存的搭配。然而，这些外部内存对功耗的影响更大。
 
本文关键词：SRAM,NOR闪存,DRAM

相关文章：MCU单片机有几个存储器

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。