伟凌创芯国产并口SRAM

    静态随机存取存储器SRAM是随机存取存储器的一种。这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM又可分为串口SRAM和并口SRAM。
 
    相较于串口SRAM来说，并口SRAM引脚有很多，且大部分SRAM是并口操作的，也有少部分是串口协议的。在电路上，并口SRAM是异步电路，没有时钟信号；当并口SRAM需要更快的速度时，理论上而言只要扩展IO的位数即可。并口SRAM通常速度都比较快，应用在很多高速场合，比如作为CPU的高速缓冲存储器。
 
    凡事有利必有弊，并口SRAM最大的缺点也是引脚数太多，芯片的封装就会比较大，在某些对面积比较敏感的系统中无法使用，比如物联网和可穿戴设备。
 
    国产SRAM厂家伟凌创芯并口异步SRAM具有优异的高速度、低功耗和可靠性。是适用于各个领域的理想存储器。
 
    伟凌创芯异步SRAM系列2Mb到32Mb各种容量；电源供应范围1.65V 至3.6V；Parallel异步接口 x16/x8 I/O；读取时间8ns、10ns、12ns、15ns；封装采用48FBGA、44TSOP2、48TSOP1形式。可替换兼容国外大品牌SRAM产品。我司官方代理英尚微电子可提供样品测试及技术支持。

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