三星 3D NAND 快闪存储器新厂上半年投产

        近日三星电子宣布，设立在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利，将如期于 2017 上半年投产。
        三星新存储芯片厂于 2015 年动土，共投入 15．6 万亿韩元（约 144 亿美元）建厂，为三星史上最大单一产线投资项目。据三星表示，新厂第一阶段施工目前已完成九成。
        新芯片厂主要用于生产高容量 3D 立体 NAND 快闪存储器。快闪存储器可取代传统硬盘，并广泛应用于智能手机、数码相机与其他 USB 界面储存设备。
        市调机构 DRAMeXchange 日前指出，三星稳坐去年第四季 NAND 快闪存储器龙头，受惠于供给吃紧、平均报价（ASP）飙升，三星 NAND 快闪存储器当季报价增加 5％、单位出货量季增 11－15％，推升营收成长近两成（19．5％），市占率来到 37．1％。东芝同期间 NAND 存储器市占率达 18．3％，暂居第二。Western Digital 紧追在后，仅差东芝 0．6 个百分点。

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