台积电首次提及1.4nm工艺

    台积电1.4纳米级制造技术的开发正在顺利进行。台积电强调使用其2纳米级制造工艺的量产有望在2025年实现。
 
    随着半导体工艺深入到5nm以下，制造的难度和成本日益增加。摩尔定律的物理极限大约在1nm左右，再往下就会面临严重的量子隧穿难题，这将导致晶体管失效。各大厂商在实际尺寸上采用的先进工艺仍有一定的余地，纸面上的1nm工艺仍可能存在。
     
    台积电去年成立了一个团队来研发1.4nm工艺，CEO表示公司正在探索比1.4nm更先进的工艺。1.4nm工艺是半导体行业追求的目标之一，但将会面临很大的挑战。
 
    2nm工艺之后是14A，也就是1.4nm工艺，预计在2026年问世，再往后就是A10工艺，也就是1nm，预计在2028年问世。
 
    然而，实际量产时间可能会延后。在2nm节点之后，EUV光刻机需要进行大规模升级，ASML预计在2026年推出下一代EXE:5000系列，采用HighNA技术提高光刻分辨率。但下一代EUV光刻机的售价将从1.5亿美元上涨到4亿美元以上，甚至可能会进一步增加，这对制造商的成本控制能力提出了很大的考验。
 
 
本文关键词：1.4nm工艺

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