DRAM和MRAM有什么区别？

    DRAM利用电容储存电荷多少来存储数据，需要定时刷新电路克服电容漏电问题，读写速度，常用于容量大的主存储器，如计算机、智能手机、服务器内存等。

 

    MRAM与使用电子电荷来存储数据的半导体存储器不同，MRAM 使用磁性元件来存储数据。它使用电子自旋，与电荷不同的是，电子自旋本质上是永久的。MRAM结合了SRAM的速度、DRAM的密度和闪存的非易失性，因此通常被称为理想存储器。

 

    DRAM随着单元尺寸的不断减小、集成密度的增加和带宽的改进而不断发展，同时随着移动设备变得越来越普遍而追求低功耗。然而，DRAM 作为基于电荷的存储器也有其缺点。即使在不工作时，它也需要不断刷新以弥补随着时间的推移而损失的电量，这会导致待机功耗。此外，随着集成密度的增加，存储单元之间的干扰也会增加，这使得继续扩展 DRAM 变得极具挑战性。这就是 MRAM 的用武之地。这种类型的存储器基于 MTJ 处单位单元的电阻变化。由于它使用“旋转”而不是电荷来存储数据，因此它几乎可以无限期地保留信息，并且不需要备用电源。这种架构可以减少存储设备的总功耗，从而实现高能源效率。


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