中国NOR Flash厂商兆易创新可能与美国DRAM厂商ISSI合并

        近来中国发展半导体存储芯片产业的势头猛进，整并、建厂动作一波接一波。相关厂商也基本都取得了相应的技术授权或者技术支持，武汉新芯启动的存储器项目跟飞索半导体达成了技术授权合作，且其本身有一定的技术储备，而晋江晋华打造内存基地则是由台湾联电负责技术开发。
　　日前中国存储芯片产业又跑出了一匹黑马—兆易创新。此前科技新报指出中国NOR Flash厂商兆易创新可能与美国DRAM厂商ISSI（Integrated Silicon Solution）合并（ISSI于去年7月份被武岳峰资本收购），从9月份停牌至今的兆易创新于19 日发出持续停牌公告，并正式揭露了将与ISSI整并的消息。
　　兆易创新公告中指出，公司拟收购北京闪胜投资公司，北京闪胜主要拥有先前以中国私募基金武岳峰为首所收购的美DRAM厂商ISSI股份，兆易创新若与ISSI合并，加上现有的NOR Flash 技术，将成为Flash与DRAM兼备的综合型存储芯片厂商。
　　ISSI主要设计与销售SRAM、中低密度DRAM、EEPROM等集成电路产品，主要应用于汽车、工业、医疗、网络、行动通讯等。
　　中国存储产业海外并购异常艰难，在ISSI前仅有紫光收购从奇梦达分拆出来的西安华芯半导体一家DRAM企业。
　　近日，又有媒体报道兆易创新传出与中芯国际前执行长王宁国所主导的合肥长鑫国家队共同在合肥建立存储芯片厂。
　　日前，该项目的环评文件曝光也间接证实了此消息，文件显示：该项目总投资达人民币494亿元，一期主要目标是在合肥空港经济示范区建造一条占地超过800亩的12英寸晶圆产线，预计2017年7月竣工，目标产能每月12.5万片。
　　目前，大陆存储芯片制造产业布局已形成武汉、晋江、合肥铁三角态势，未来三地若能形成联动，加强合作沟通，规避恶性竞争，将会进一步助力中国存储芯片产业早日实现突破。

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