​Everspin MRAM引领数据存储行业

    Everspin Technologies作为MRAM技术的领先者，其在数据存储领域的贡献和影响力不容忽视。MRAM技术的独特之处在于其结合了RAM的高速性能与闪存的非易失性特性，为用户提供了卓越的数据存储体验。
 
    Everspin的MRAM产品采用了先进的磁性隧道结技术，通过固定磁层与可翻转磁层之间的相互作用，实现了数据的稳定存储。这种设计不仅确保了数据的长期可靠性，还避免了传统存储介质中可能存在的数据丢失风险。
 
    代理英尚微提供的MRAM在性能方面，技术展现出了出色的表现。其高速读写能力和低延迟特性，使得MRAM在各类应用场景中都能发挥出卓越的性能。无论是在数据中心、云计算环境，还是在工业自动化、汽车及航空航天等领域，Everspin的MRAM技术都能为用户提供稳定、高效的数据存储支持。

 Everspin SPI MRAM

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	Order Multiple /Tray	MOQ / T&R
4Mb	512Kx8	MR25H40CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	570	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	570	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	570	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDF	8-DFN sf	3.3v	Extended	570	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDFR	8-DFN sf	3.3v	Extended	570	4000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	4,000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDFR	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	570	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	570	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDC	8-DFN	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	570	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDCR	8-DFN	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	570	4,000

 

本文关键词：​Everspin MRAM,MRAM

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