伟凌创芯国产SRAM存储芯片

    为满足客户对更大更快的SRAM 的普遍需求，伟凌创芯SRAM产品线，容量最高可达64Mb。产品线包括提供256Kb~64Mb不同容量的器件，为传统的并行SRAM产品提供成本更低的替代方案，并在SRAM存储器中包含可选的电池备份切换电路，以便在断电时保留数据。
 
    伟凌创芯EMI串行SRAM器件采用成本较低的8引脚封装，并采用高速SPI/SQI通信总线，只需要4-6 个MCU I/O 引脚即可轻松集成。这减少了对更昂贵、高引脚数MCU的需求，有助于最大限度地减少整个电路板的尺寸。
　　
    对于需要比MCU板载RAM更多的RAM但又希望降低成本和减小电路板总尺寸的工程师来说，串行SRAM是一种很受欢迎的解决方案。伟凌创芯EMI串行SRAM芯片旨在以简便且具有成本效益的替代方案取代并行SRAM。
 
    这些小尺寸、低功耗、高性能串行SRAM器件具有无限的耐用性和零写入时间，是涉及连续数据传输、缓冲、数据记录、计量以及其他数学和数据密集型功能的应用的绝佳选择。这些器件的容量从64 Kb到4 Mb不等，支持 SPI、SDI 和 SQI 总线模式。
 
    安徽伟凌创芯专注存储、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售的。为客户提供的存储芯片领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。
         

本文关键词：SRAM,伟凌创芯

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