高速读写非易失性铁电存储器FeRAM

    FeRAM铁电存储器是通过利用铁电晶体材料电压与电流关系具有特征滞后回路的特点来实现信息存储。将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器（如EEPROM、闪存）相比，FRAM不需要用于数据保存的备用电池，具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。
 
    FeRAM技术特点：
 
    非易失性：FeRAM最显著的特点是其在断电后数据不会丢失，是非易失性存储器；
    高速读写：FeRAM的读写速度相对较快，存取时间通常在50ns左右，循环周期约为75ns，这使得它在需要快速数据访问的场合具有优势；
    寿命长：FeRAM具有较高的读写耐久性，通常能够达到数十亿次的读写循环，远超过传统的EEPROM和闪存；
​    低功耗：由于FeRAM在存储数据时不需要额外的电源来维持数据状态，因此功耗相对较低；
​    可靠性高：兼容CMOS工艺，工作温度范围宽，可靠性高。
 
    FeRAM存储密度较低、容量有限，虽无法完全取代DRAM与NANDFlash，但在对容量要求不高、读写速度和频率要求高、使用寿命要求长的场景中拥有发展潜力，适用于智能手表、智能卡、物联网设备等消费电子领域，以及汽车和工业机器人领域。
 
 
本文关键词：FeRAM,FRAM

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