3D NAND构成了全闪存一半的产出
2017-05-11 16:54:13
3D NAND是对闪存单元层进行垂直向上堆叠，类似于微型摩天大楼，近期有报道称3D NAND今年将成为全闪存内存的重要技术。
据一家分析机构最新预测，NAND闪存制造商已经把重点放在将其制造厂改造成3D NAND芯片制造厂，而与传统2D NAND相比，3D NAND生产速度更快，成本更低、密度更高。
BiCS (Bit Cost Scaling)是西部数据联合东芝用来生产固态硬盘及其它NAND闪存产品的一种垂直叠加或是3D技术。它们最新的内存每单元可存储3比特位数据并且可以将这些单元向上叠加64层之高。
该分析机构报道称，为追随一马当先的3D NAND制造商三星和美光的脚步，大多数NAND闪存供应商将在2017年下半年开始大批量生产64层3D NAND芯片。
今年年初，西部数据与合作伙伴东芝开始生产64层NAND闪存产品，业内密度最大，每单元可存储3比特数据。
这些3D NAND闪存芯片是基于一种西部数据和东芝称为BiCS的垂直叠加或3D技术。西部数据已经对基于64层NAND闪存技术的首批512GB 3D NAND芯片进行了小批量生产。西部数据64层产品的取样将在5月底开始，今年下半年初期将会进行大批量生产。
对于企业来说，3D NAND的批量生产代表着它们用于数据中心和工作站的非易失性存储价格将会更加便宜。
不过DRAMeXchange表示，即便3D NAND产品增加，整体的NAND闪存支持也会由于苹果新一代iPhone推出所需的组件库存以及SSD供应商的稳定需求，预计今年仍保持紧张态势。
3D NAND现在构成了三星和美光各自NAND闪存产出的一半以上。SK海力士正在准备推出72层NAND芯片。据报道指出，SK海力士为了追赶业内领先厂商，决定在今年下半年开始大批量生产72层芯片。
DRAMeXchange认为，三星在3D NAND技术竞争中仍处于上风。该公司的48层芯片被广泛应用于客户端SSD、企业级以及移动NAND产品。
而三星在韩国平泽市新建的制造厂也已经完成了设备安装，预计将于今年7月份开始生产64层闪存芯片。美光是排名仅次于三星的第二大3D NAND供应商，同时该技术占其整体NAND闪存产出的50％以上。美光目前受益于使用其32层存储芯片以及拥有强大的自有品牌固态硬盘发货量的主要内存模块制造商。
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