DRAM涨势将趋冷 明年转跌

       据海外媒体报道，高盛预测，DRAM价格涨势可能在未来几季趋于缓和，逐渐下降， 2018年价格也许会转跌，决定调降内存大厂美光评等。
　　据巴伦周刊近期报导，高盛的Mark Delaney报告表示，过去四个季度以来，DRAM毛利不断增加。 根据以往经验表明，DRAM的繁荣通常持续四到九季，此一趋势说明DRAM多头循环已经到达了中后段。 业界整合使得本次价格DRAM比以往更高。
　Delaney强调，和DRAM业界人士谈话发现，DRAM现货价的成长动能正在逐渐放缓，价格似乎触顶或略为下滑。NAND情况相对来说比较不严重;产业人士表示，NAND价格不断提高，供给缓慢提高，目前比较容易取得货源。 Delaney并称，DRAM投资大增，未来价格压力将加剧。 过去两季，DRAM存储芯片资本设备支出大增46%。
　　尽管Delaney担忧DRAM利润的上行空间有限，但是他未全盘看坏美光，指称该公司研发64层3D NAND等，为正面发展。
　 在高盛报告发布后，美光股价一度下跌2.5%，之后跌幅缩小至0.50%、收在28.06美元。 今年迄今美光大涨28.01%。
　　三星电子的南韩华城厂，即将扩产的传闻延烧许久。 最新消息显示，三星决定投资3兆韩圜(约26.4亿美元)提升DRAM产能。 不过由于未来11线不再生产DRAM，产能一增一减之下，应该不至于冲击DRAM供给。
　　韩媒etnews 2日报导，业界消息指出，三星半导体业务部门将扩充华城厂17线的DRAM产能，生产10nm等级的DRAM。 三星已告知设备厂扩产计划，并在三月份向部分供应商下单，估计投资金额约为2.5兆~3兆韩圜，完工后每月增产3.5万片300公厘的硅晶圆，预定今年下半初步生产。

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