汽车工业非易失性存储器MRAM技术

    汽车工业正在采纳一系列新型非易失性存储器技术，包括MRAM、相变存储器（PCRAM）和RRAM。这些先进的存储器技术在汽车运行状态转换期间的数据存储和检索方面带来了显著的提升。动力总成控制研究与进步（PCRA）团队与Everspin以及微控制器供应商携手合作，利用下一代动力总成控制器，快速实现了外部MRAM的原型开发。
 
    MRAM技术在汽车领域拥有广泛的应用前景。得益于MRAM技术与标准CMOS技术的兼容性，它可以被嵌入到动力总成微处理器中（目前MRAM已嵌入到一些非汽车微处理器中）。然而，目前将MRAM集成到动力总成硅片中最经济有效的方法是采用芯片堆叠技术，原因如下：
 
    • 从动力总成硅片中移除存储器阵列可以缩小其尺寸，进而增加每个晶圆的芯片数量，同时提升芯片产量。这两方面的改进都有助于降低动力总成硅片的成本。
 
    • 芯片堆叠技术已经发展到一个可接受的质量水平。因此，将已知良好芯片（KGD）的MRAM堆叠在已知良好的动力总成芯片上，提供了一种成本效益最高的解决方案。这种集成方式将成本最低的CMOS芯片与成本最低的MRAM芯片结合在一起。
 
    在下一代ST-MRAM集成能够满足汽车市场所需的性价比（预计为5年以上）之前，目前成熟、可用、性能强大的MRAM技术似乎是将MRAM技术融入汽车应用中的最理想方式。我司英尚微电子代替提供NETSOL 、EVERSPIN MRAM存储芯片，提供产品相关技术支持和样品测试。


本文关键词：MRAM

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