Static RAM(
SRAM),指的是一种具有静止时存取功能,在不需要刷新电路的情况下依然可以保持内部存储数据的存储芯片。
一般来说有两个主要的规格:
1. 一种是放置于单片机CPU与主存储之间的高速缓存,有两种规格,一种是会固定在电路主板上的高速缓存,另一种是插入电路卡槽的COAST扩充用的高速缓存。
2. 第二种是内置于CMOS芯片146818的电路中,内部有128字节小容量的
SRAM存储芯片,用于存储我们设置的配置数据,也有用于加速单片机CPU内部数据的传递,从80486CPU开始,基本上CPU内部会将SRAM设计进去作为高速缓存,SRAM存储芯片在读取数据上速度比较快,不需要刷新电路,目前在市场上,价格相对其他的DRAM还是高了点,主要用于高要求的行业中的应用,
基本特点
1.速度相对快,不需要刷新电路,可以提高整体工作效率。
2.
SRAM集成度低,功耗高,相同的容量的情况下比DRAM等存储芯片体积大,
SRAM存储的应用
1.CPU与主存之间的高速缓存。
2.CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。
3.CPU外部扩充用的COAST高速缓存。
4.CMOS 146818芯片。
同步SRAM存储芯片在传统上的应用是搜索引擎,用于对算法的实现,长时间来这也是SRAM存储芯片在网络的主要作用。跟随着新的存储技术的出现,设计者为SRAM存储芯片找到新的应用领域。
现在对路由器跟交换机的要求已经不仅仅限制于FIB搜索,计数器需要对接收服务包的信息包数量进行跟踪,并从中获取统计数据从而解决账单编制问题,并通过统计来不间断监视网络,并完成对问题的检测及判定,并随着每个信息包处理量的递增,就必然采取包缓冲器来提高处理能力,除了上面提及到的以外,随着系统中存储器资源的增加,动态存储分配也是必需的,路由器或者交换机的这些附加功能正在重新定义这网络系统的设计。
具有更多新功能的网络系统
并随着IPv6和VRF的快速普及,对更宽、更深、更快和更高效系统的需求变得更为迫切。系统设计者必须能以最低的成本来满足网络系统的所有度量标准。这时,之前的同步SRAM已经难以满足需求了。所以这些功能需要借助DDR或QDR SRAM等速度更快、带宽更高的SRAM存储芯片来实现。
QDR 与 DDR SRAM
在由瑞萨、、赛普拉斯IDT、NEC和三星公司组成的QDR协会的合作下开发出了QDR
SRAM存储芯片,目的通过把SRAM存储芯片性能提升为原先的4倍用于满足那些不仅需要标准ZBT或NoBL SRAM的低延迟和满周期利用率,并还需要极大幅度提高工作频率的系统对带宽的要求。QDR SRAM存储芯片具有单独的读和写端口,设计里在每个数据引脚上以双倍数据速率各自独立地工作,因此能在一个时钟周期中传输4个数据字,因此4倍数据速率而得名。设计上采用分离的读/写端口从根本尚消除了SRAM与存储控制器之间对总线争用的冲突,这就是传统的公用I/O器件的问题所在。因此QDRII SRAM被称呼为回波时钟的源同步时钟,它们与数据输出由同一道生成。QDR SRAM采用了HSTL I/O标准,从而实现高速缓存操作。
QDR
SRAM主要的应用在于面向那些需要在读和写操作之间进行转换,而DDR
SRAM主主要的应用在于面向需要进行数据流式处理,此时,读和写操作之间的近期平衡为百分百的读操作或百分百的写操作。但在这种情况下,有一根QDR SRAM总线在百分之五十的时间里没被使用过。同时其它总线也是可能具有不平衡的近期读/写比例。这是督促人们对DDR公用I/O SRAM存储芯片开发的主要因素,在这种器件中,输入和输出数据端共同使用同一根总线。在从读操作向写操作转换的过程中,需要总线转向周期,并使得可用带宽减少。因此,对于某些系统来说,这必然产生了比QDR架构的平均总线利用率更优,控制信号几乎极少,而且又与QDR器件控制信号有些不同的地方。
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