闪存芯片市场：选择大路还是两厢？

       作为仅次于动态存储器（DRAM）市场的存储器产品，近几年闪存芯片在全球消费电子和通信产品如数码相机、平板电脑、手机、便携式音乐播放器等带动下，市场规模持续增长。然而闪存芯片的两大类NAND Flash和NOR Flash却经历着不同的命运：前者市场尽管经历了多年跌宕起伏，但仍保持快速增长态势，未来前景可期；后者市场规模近年来则持续萎缩。 2012年，受终端消费产品低迷、闪存产能过剩等因素的影响，全球闪存芯片市场销售额出现7%以上的负增长。然而得益于本土消费电子产品市场的稳步发展，中国闪存芯片市场略有下降。 随着移动互联网的快速发展，近年来国内相继崛起了一批优秀IC设计企业，如展讯、锐迪科、格科微等，目前也有本土企业抓住机遇涉足闪存芯片市场。

一、国内市场波动成长，产品结构加剧调整 作为全球最重要的电子产品制造基地之一，近几年中国对闪存芯片的需求保持快速增长的态势。

 

     2012年，在全球金融低迷导致的消费电子产品需求下降、闪存产能过剩等负面因素的影响下，中国闪存芯片市场规模略微下降1.0%。形成这种局面的主要原因，除了电子整机需求低于预期外，2012年闪存产品单价大幅下降也是导致市场规模下滑的重要原因。 从产品结构来看，中国NAND Flash市场与去年基本持平，市场规模达633.7亿元。根据存储单元的不同，NAND Flash目前可以分为Single Layer Cell（SLC）、Multi-Level Cell（MLC）和Triple-Level Cell（TLC）三类，产品价格依次递减。短时间内MLC仍会是主流产品，SLC将继续在企业级、服务器市场领域存活；随着TLC性能的提升，其将成为未来中低端领域NAND Flash的主要产品。2012年SLC、MLC、TLC市场销售额分别为39.9亿元、447.4亿元、146.4亿元。

     同时，NOR Flash市场出现10%以上的萎缩，市场规模达74.9亿元。按NOR Flash接口方式分为Serial Flash（串口）和Parallel Flash（并口），2012年市场销售额分别为29.7亿元、45.2亿元。由于在大容量存储方面并无优势，近年来NOR Flash产品的容量规格基本稳定。手机和笔记本电脑等传统高利润的市场应用，逐渐被低容量的NAND Flash所替代。与此同时，新兴下游整机市场的带动效应乏力，中国NOR Flash市场同全球市场一样正经历着衰退期。此外，性价比更高的Serial Flash也在逐步替代Parallel Flash，这在一定程度上也拖累了整个市场销售额的增长。 未来3年，在中国消费电子制造快速恢复和本土市场的稳定增长等有利因素的影响下，中国闪存市场将重回平稳增长的态势，市场规模将持续扩大。智能手机、平板电脑、固态硬盘仍将是带动闪存市场增长的主要动力，同时随着闪存技术的不断进步，价格会持续走低，单颗芯片容量会越来越大，使用的领域会逐渐拓展，智能电视、汽车电子以及仪器自动化等领域将成为闪存市场新的增长点。预计到2015年，中国闪存市场有望超过1000亿元。

二、企业之间竞争加剧，先进制程极为关键 NAND Flash市场近几年的急速扩张，给行业带来了巨大波动。

    
​       先是瑞萨（Renesas）的黯然离场，将技术转让给力晶（Powerchip）；接着是奇梦达（Qimonda）的快速破产；然后是英特尔（Intel）和意法半导体（ST Microelectronics）将动态随机存储器（DRAM）和闪存业务合并成立新公司恒忆半导体（Numonyx），可惜好景不长，最后被美光（Micron）收购，并且美光与英特尔在NAND Flash领域深入合作，共同投资建厂；2011年7月东芝（Toshiba）宣布与闪迪（Sandisk）共同投资新的制造厂房“Fab5”已经竣工并投产；2012年4月，三星宣布在西安建设闪存芯片工厂，项目总投资300亿美元，预计建成后月产能达10万片，此外，还加大京畿道华城16产线的投资，提高2012年投资额到47.8兆韩元。 与此同时，2012年NAND Flash厂商工艺线程纷纷达到20nm，未来积极布局1Xnm级别。这些行业巨头通过不断扩大产能、提高技术实力、降低芯片价格等手段来抢占行业制高点，竞争激烈程度可见一斑。 表1 2008-2013年全球主要NAND Flash厂商工艺进展 。

    在NOR Flash领域，由于产品在大容量和先进制程方面与NAND Flash难以形成有效竞争，因此部分企业一方面继续追求先进制程，另一方面为了寻找一线生机，谋求跨入新的领域，开拓新的市场，积极进入低密度NAND Flash市场。 随之而来的是全球NOR Flash市场日趋激烈的竞争，行业内企业兼并重组乃至申请破产的事件层出不穷。继2010年美光收购恒忆半导体后，2012年美商芯成ISSI收购台系NOR Flash供应商常忆，Adesto Technologies也宣布收购Atmel的Serial型NOR Flash晶片业务。

 

三、找准产品市场定位，实现本土企业崛起 目前，由于智能手机、闪存卡、平板电脑和超极本应用大量的NAND Flash，导致三星、东芝、美光等国际大厂纷纷转向高容量的NAND Flash产品。
    
        而飞索（Spansion）、旺宏（Macronix）、华邦（Winbond）也由NOR Flash业务拓展至低密度NAND Flash业务，同时，2012年三星宣布退出NOR Flash业务无疑给这个市场蒙上阴影。总之，国际大厂依靠技术、资金、产能等多方面的优势把控着闪存市场和产品趋势。 进军中高端市场资金、技术、人才等因素困难重重，传统的NOR Flash市场又逐渐萎缩，面对闪存芯片市场的激烈变化，国内企业将如何应对呢？面对实力的差距，如何做一个竞争场上的智者呢？ “欲占大路，先取两厢”。“大路”就是以新技术、新工艺所驱动的高端闪存芯片市场，如大容量的NAND Flash市场；“两厢”就是利润薄、品种多、应用领域分散的市场，如NOR Flash市场。 由于国际大厂闪存技术发展迅速，产品更新换代很快，为了发展需要，常常会停掉一些对他们来说利润薄弱的落后产品线（如NOR Flash产品），而中国仍有大量使用中低端闪存的整机企业，这给本土芯片企业带来了很好的切入机会。 兆易创新就是这样一家本土闪存芯片企业，该企业抓住国际大厂逐步退出NOR Flash整体市场的机遇，积极拓展市场和行业应用；同时顺应NOR Flash市场由并口转为串口的产品和技术变革趋势，推出技术领先产品。公司连续推出一系列大容量及低压的Serial NOR Flash产品，涉及包括USB Key、DVD、数字机顶盒、手机、路由器等传统行业应用以及智能电视、工业控制等新兴的行业应用，取得了国内整体NOR Flash市场第四的优异成绩，而排名前三位就是美光、飞索以及旺宏等国际大厂，并且在有良好发展前景的Serial Flash国内细分市场中排名第一，市场份额仍在不断的扩大，成功地取得“两厢”。然而，公司并没有满足NOR Flash市场给他们带来的稳定收入，他们的目标是占领“大路”。公司投入大量的人力和资金积极开发低容量的NAND Flash，努力地缩小与国际大厂之间的差距，在NAND Flash芯片市场中伺机寻求机会。

 

       兆易创新存储芯片的工艺技术并没有比国际大厂先进，但是他们认清市场竞争格局，找准产品定位，先占领国际大厂放弃的“两厢”，从而获得企业存在的契机，再剑指目标――“大路”。 由此及彼，在如此全球化的激烈竞争中，中国IC设计企业在资金、技术、人才明显处于劣势的条件下，如果一味地与国外巨头追求高性能，很容易在创业初期由于资金的大量投入无果，导致最后资金链断裂而破产。国内企业应该扬长避短，先集中精力于中低端市场，依靠庞大的消费者群体，逐步提高市场占有率，将中低端产品做好做精，培养品牌信任度与美誉度，并认真积累技术、资金、人才等，再以实力徐图发展高端产品。协调好眼前利益与长远利益，蹲下去是为了跳得更高。