Everspin 256Mbit ST-Mram

美国公司Everspin从2012年开始生产第一代芯片MRAM的产品，MRAM是被行业内广泛认为可以与RAM一样快的并且可以永久存储，MRAM比NAND闪存速度快500倍，美国公司Everspin在2017年前生产的MRAM产品容量只能容纳645Mbit的数据，2017年美国公司Everspin推出一款新的产品称为转矩MRAM(ST-MRAM)，属于MRAM第三代产品，接口类似DDR3或DDDR4 RAM，但是由于MRAM是属于非易失性产品，断电时可以保持数据不丢失，在速度上比现有闪存要快。
 
Everspin是目前唯一一家出售此类产品的公司，但直到现在也是在64MB chunk(组块)以内。一个DIMM插槽仅用作64Mb容量存储自然不能让MRAM成为主流。Everspin称它还希望在年底出1GB MRAM产品。
 
这个DDR接口又快又漂亮——DDR4 RAM可达19,000 MB/s——而Everspin宣称其写入速度比NAND闪存快10,000倍。
 
当然，在这个芯片成为主流选项之前还有一系列问题，从服务器制造商需要适应MRAM以便机器操作系统能够让MRAM工作开始，然后要了解虽然位于DIMM接口内，它也是一个永久存储层。IBM开始亮出了一款针对Power8系统的驱动器，Everspin也表示正在和其它服务器制造商交流中。距离盒子的到来不远了。
 
密度是另一个要担心的问题——服务器只能有很多DIMM，并且这类应用程序类似快速存储和许多内存。Everspin表示它一直致力于6GB MRAM，该产品有助于密度，对将要接受的挑战表现地自信满满。

关键字：ST-MRAM

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