Everspin MR4A08BMA35并行I/O非挥发MRAM芯片
2018-05-23 15:01:32
全球领先的离散和嵌入式磁阻随机存取存储器开发商和制造商Everspin科技公司(MRAM)成立于2008年，是飞思卡尔分离出去的独立公司。公司股东由飞思卡尔和几大风险投资公司构成。公司成立时飞思卡尔把MRAM技术、相关知识产权和产品都转让给EverSpin。公司总部与晶圆厂均位于美国亚利桑那州钱德勒(Chandler)市。2006年Everspin推出业界第一款商业化MRAM产品。目前Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子等领域。
Everspin MR4A08BMA35是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，并允许无限制的读/写循环。在每次写入后，资料能持续保存超过20年。此外，与其它存储器不同，MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(SER, soft error rate)。这款并行MRAM16Mb MRAM由位宽为16的1,048,576个字组成。引脚和功能可与异步SRAM兼容。MR4A16B目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。
MR4A08BMA35提供小尺寸48引脚球栅阵列(BGA)封装和54引脚的薄形小尺寸(TSOPII)封装两种形式。这些封装均能与相似的低功率SRAM产品和其它非挥发RAM产品兼容。
表图为16Mb型号表
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BYS35 |
54-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BCYS35 |
54-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BCYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
本文关键词：
并行MRAM
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