Everspin 256Mb ST-MRAM产品

 

存储和服务器OEM厂商一直在评估其ST-MRAM产品，Everspin科技公司将为基于MRAM的存储级存储器（SCM）进一步提高密度，并预计将今年晚些时候基于其专有的垂直磁隧道结（pMTJ）ST-MRAM的1Gb产品。

 

Everspin自2008年以来一直从事MRAM业务。最先推出MRAM产品主要是提供SRAM的替代品，现在已经包括工业，汽车和运输市场中的离散和嵌入式应用MRAM产品。 对于汽车市场，特别是对于需要高带宽和高耐用性的高级驾驶员辅助系统。RAID存储仍然是Everspin成熟的MRAM产品中最大的一部分，约占40％的需求，而35％在工业控制应用。汽车和运输占其余大部分。

 

Everspin将提供独立的ST-MRAM产品和NVDIMM，开始时密度为256Mb，1Gb。

 

从市场来看持续DRAM市场远远大于持续性SRAM市场，而新型高密度256Mb ST-MRAM可用于保护包括SSD在内的第一级存储器中的热数据。能够保护飞行中的数据，而不必担心由于电源不可靠造成的数据损坏以及NAND和其他永久存储器的较慢写入性能。 

 

Everspin将提供分立的ST-MRAM产品和NVDIMM。后者通过消除断电期间所需的DRAM和NAND闪存之间的数据传输来提供改进的可靠性。 256Mb ST-MRAM允许该公司进入基于SSD的存储市场，即将推出1Gb密度。 

 

通用的记忆在解决具体问题方面变得不那么有效。 ST-MRAM比DRAM更适合写缓存。然而，Everspin不直接瞄准DRAM，而是专注于为需要持久存储器的应用取代DRAM。 

 

迄今为止，Everspin一直是唯一一家取得显着商业成功的MRAM公司，尽管还有其他供应商正在研究利基内存。例如，Avalanche技术公司宣布正在采样业界首款采用32 / 64Mbit独立分立STT-MRAM存储器器件的行业首款自旋转矩磁RAM（STT-MRAM）芯片，并采用行业标准SPI基于55nm节点代工过程的接口。

 

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