MRAM芯片MR0A16AVMA35

2018-06-13 15:41:04

MRAM利用电子自旋的磁性提供快速而持久的非易失性存储器。 MRAM将信息存储在与硅电路集成的磁性材料中，以便将RAM的速度与Flash的非易失性相提并论。总部位于亚利桑那州钱德勒的Everspin拥有并运营着一条生产线，用于其磁性后端晶圆加工，采用铸造厂生产的标准CMOS晶圆。Everspin Technologies是一家开发和制造磁性RAM或磁阻随机存取存储器（MRAM）的公共半导体公司，其中包括独立和嵌入式MRAM产品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM），Everspin目前的MRAM产品基于180纳米和130纳米工艺， nm工艺技术节点和行业标准封装。

Everspin科技公司一款并行MRAM芯片MR0A16AVMA35，由65,536字 x 16位构成，芯片的工作电压为3.3V，封装48-BGA球栅阵列封装，工作温度范围-40 to +105C，具有高可靠性以及有无限的写入周期及35ns读写时间和兼容SRAM周期，引脚布局采用现有的SRAM控制器，无需重新设计在工作温度范围内数据保持期长达20年以上而不会丢失，用MRAM替代电池供电的SRAM解决方案，并消除了组装电池以及可靠性问题和不利因素。典型的应用包括计算机存储系统及服务器、工业自动化和机器人、电能管理、交通以及军用/航空系统。35ns的快速读/写周期

产品型号参考如下：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃

本文关键词：Everspin

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