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并口MRAM存储芯片MR0A08BMA35

2018-06-21 11:51:55


Everspin科技公司成立于2006年,从飞思卡尔半导体公司独立分离出来,成为一家专注于研发开发MRAM磁性存储芯片的半导体科技公司,目前Everspin科技公司产品线包括串行SPI MRAM,256Kb并行MRAM,1Mb并行MRAM, 4Mb并行MRAM,16Mb并行MRAM,STT-MRAM等产品,产品应用数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。

MR0A08BMA35是Everspin一款并行MRAM芯片非易失性产品,3.3V电压,由128Kx8位构成,35ns的快速读/写周期,工作范围0℃ to +70℃,在工作温度范围内数据保持期长达20年以上而不会丢失,用MRAM替代电池供电的SRAM解决方案,并消除了组装电池以及可靠性问题和不利因素

并行MRAM芯片非易失性产品型号参考:
Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
1Mb 64Kx16 MR0A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AMA35 48-BGA 3.3V 0 ℃to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40 to +105C
1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0D08BMA45 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0DL08BMA45 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO 0℃ to +70℃


本文关键词:Everspin
 
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