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Everspin 并口MRAM芯片MR0A08BCMA35

2018-06-25 15:03:07


Everspin Technologies公司是全球领先的分立和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋扭矩MRAM(ST-MRAM)的设计,制造领导者,其市场和应用领域的数据持久性和完整性 ,低延迟和安全性至关重要。 凭借在数据中心,云存储,能源,工业,汽车和运输市场部署的超过7000万个MRAM和ST-MRAM产品,Everspin建立了世界上MRAM用户最强大,发展最快的基础。

这款并口并行MRAM存储芯片数据保持期长达20年以上而不会丢失数据,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护,以防止在非工作电压期间写入。

MR0A08BCMA35采用10 mm x 10 mm 48引脚球栅阵列 (BGA) 封装(球中心距为0.75mm)。温度范围在商业级(-40℃ to +85℃)、温度范围内工作,并在整个温度范围内保持高度可靠的数据存储能力。

可参考以下型号:
Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
1Mb 64Kx16 MR0A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AMA35 48-BGA 3.3V 0 ℃to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40 to +105C
1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0D08BMA45 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0DL08BMA45 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃


本文关键词:Everspin
 
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