Everspin串口MRAM芯片MR25H40CDF

Everspinn科技有限公司是全球领先的设计, 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋转移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生产商，自从Everspin第一款产品进入市场，由于MRAM可以保持数据持久性和完整性、低功耗等特性，在应用程序设计中起到了安全性至关重要的作用，现在在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场应用超过 7000万 MRAM 和 MRAM 产品, Everspin 科技公司为世界上 MRAM 用户建立了最强大、最迅速的基础。

Everspin Technologies MR25H40CDF容量为4Mb的磁阻随机存取存储器 (MRAM)。MR25H40CDF拥有35ns的读/写周期（无写入延迟），以及出色的耐读/写能力。数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。对于必须快速、永久地存储和检索关键数据和程序的应用，MR25H40CDF在较为宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。温度范围0至+70°C），用MRAM替代电池供电的SRAM解决方案，并消除了组装电池以及可靠性问题和不利因素

产品型号参考如下：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃

 
本文关键词：Everspin

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