存储芯片NAND Flash封装EMI遮蔽技术未来如何走下去

      2012年9月份苹果(Apple)推出的iPhone 5开始，就提出要使用有防电磁波干扰遮蔽技术的NAND Flash封装用于iPhone手机，在技术上三星未能满足苹果这个要求，之后苹果未使用三星的NAND Flash存储芯片 ，也使三星在这项技术上开始快马加鞭投入研发，
SK海力士(SK Hynix)正在评估喷雾式电磁波干扰(Electromagnetic Interference；EMI)遮蔽(Shielding)技术量产可能性，预计会接手过去委外进行的EMI遮蔽工艺，开展研发喷雾式的EMI遮蔽技术，期望达到降低生产成本及提高产量的双重目标。三星电子(Samsung Electronics)也在对EMI遮蔽工艺研发也孜孜不倦的进行中，但应该是遇到了些问题还待解决
据报导，目前三星电子正与PROTEC、诺信(Nordon Asymtek)、韩松化学(Hansol Chemical)、Ntrium等多家点胶机(Dispense)业者，共同研发以喷涂(Spray)方式进行EMI遮蔽制程。其中，PROTEC与诺信负责研发设备;韩松化学与Ntrium负责研发液态遮蔽材料。研发完成后，三星电子就可在NAND Flash封装覆盖一层EMI遮蔽膜，并且对苹果iPhone供货。三星电子计划在2017年达成这项目标。三星跟赛普拉斯及ISSI等也有在做SRAM存储芯片，不过三星SRAM存储这一块在2006年已经授权给品牌NETSOL,由Netsol研发及生产，并获得不亚于三星的市场评价。

                                                        
 
 
目前存在的问题发现银与CNT仍无法均匀混和，不能做为喷雾使用，预计无法用于商业化，导致自主研发喷雾方式的计划搁置
 
半导体芯片SRAM存储等一直以屏蔽罩方式阻断EMI，近年来随着半导体芯片性能技术提高，逐渐走向个别芯片均需EMI遮蔽处理，因此可预防芯片间电磁干扰引发的异常动作，电路板在设计上更加精密，芯片间距缩小后多出来的空间，可用于扩充电池容量，延长待机时间，然而增加新工艺必将增加主要芯片生产成本。
 
所谓的溅镀式和喷雾式到底是什么东西， LGA是指在封装的底部有针脚的样式，在装配PCB线路板时，针脚与电路板的插孔紧紧贴合，所以EMI遮蔽工艺只需在上半部进行完成。苹果iPhone手机的NAND Flash封装是采LGA(Land Grid Array)。而EMI遮蔽多采溅镀(Sputtering)方式，将超薄金属遮蔽材料覆盖表面。溅镀机利用物理方式将材料在目标表面选择性蒸镀1层均匀薄膜，但处理速度不快，
 

                                                       

在三星电子看来，按趋势未来NAND Flash采用BGA(Ball Grid Array)形式封装，底部是呈现球体 (Ball)，若以溅镀方式进行EMI技术进行遮蔽，会产生较多空隙不够完整的包裹，而以喷雾式(Spray)工艺进行EMI遮蔽，则可以将BGA的球体完全包裹。喷涂设备在价格上比溅镀机便宜。一组溅镀机的设备若要50亿韩元(约438.20万美元)，喷涂设备只需7~8亿韩元即可购得。再加上用于喷涂的材料价格相对便宜，可节省制程费用。在市面上由于内存大量的供给，业界基本上考虑采用喷雾式EMI遮蔽技术。
 
目前喷雾式EMI遮蔽是台湾日月光集团持有的核心专利，这也是三星电子、SK海力士考虑自行研发喷雾式EMI遮蔽技术的主要原因。

 

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