英特尔介绍整合于其22FFL工艺的自旋转移力矩(STT)-MRAM非挥发内存之关键特性，并指称这是“首款基于FinFET的MRAM技术”。英特尔表示该技术目前已经“生产就绪”(production-ready)，但并没透露有哪一家代工厂采用这一工艺；不过，根据多个消息来源显示，该技术已经用于目前出货中的产品了。
同时，三星(Samsung)介绍在其28nm FDSOI工艺制造的STT-MRAM。从可扩展性、形状可调整以及磁可扩展性方面来看，STT-MRAM被视为是目前最佳的MRAM技术。
随着业界持续迈向更小技术节点，DRAM和NAND闪存(flash)正面对着严苛的微缩挑战，MRAM因而被视为有望取代这些内存芯片的备选独立式组件。此外，这种非挥发性内存由于具备快速读/写时间、高耐受度以及强劲的保留能力，也被视为极具吸引力的嵌入式技，适用于取代Flash和嵌入式SRAM。嵌入式MRAM被视为特别适用于像物联网(IoT)设备之类的应用。
电子显微镜影像显示MTJ数组的横截面，该数组嵌入于英特尔22nm FinFET逻辑工艺中的Metal 2和Metal 4之间
但随着制造成本降低以及其他内存技术面对微缩挑战，嵌入式MRAM越来越受青睐。重要的是，随着新的工艺技术进展，SRAM内存单元的尺寸并不会随着其后的先进工艺而缩小，因此，MRAM将会变得越来越有吸引力。
其嵌入式MRAM技术在摄氏200°温度下可实现10年的数据保留能力，耐受度超过106个开关周期。该技术使用216×225 mm 1T-1R内存单元。
同时，三星称其8Mb MRAM的耐受度为106个周期，同样支持10年的保留能力。
Song表示，三星的技术一开始将先针对物联网(IoT)应用，并将在提高可靠性之后，陆续导入汽车和工业应用。“我们已成功将该技术从实验室转移到晶圆厂，预计在不久的将来上市。”
而一直立足于MRAM市场领域的EVERSPIN却已经早将STT-MRAM商业化，推出了并口，串口，DDR3等接口的MRAM产品，Everspin Technologies是一家开发和制造磁性RAM或磁阻随机存取存储器（MRAM）的公共半导体公司，其中包括独立和嵌入式MRAM产品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）。Everspin Technologies提供Toggle MRAM，自旋转矩MRAM，嵌入式MRAM，磁性传感器以及航空和卫星电子系统，公司产品应用于工业，汽车，运输和企业存储市场。
本文关键词：MRAM
相关文章：STM32单片机外扩SRAM的选择
深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
