Everspin MRAM芯片
一款非易失性的磁性存储器,
MR0D08B和MR0A16A为1,048,576位磁阻随机存取存储器 (MRAM)。Everspin MRAM支持双电源、串行SPI等各种规范,并有131,072字 x 8位或65,536字 x 16位两种构成方式。此系列MRAM拥有35ns或45ns的读/写周期(无写入延迟),以及出色的耐读/写能力。
商业,工业和扩展的工作温度。
提供AEC-Q100 1级合格选项。
35ns读/写速度,无限耐力。
数据不挥发,保留20年。
断电时保留数据。
符合RoHS标准的封装
系列型号如下:
Density | Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp |
1Mb | 64Kx16 | MR0A16AYS35 | 44-TSOP | 3.3V | Commercial |
1Mb | 64Kx16 | MR0A16AYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | Commercial |
1Mb | 64Kx16 | MR0A16AMA35 | 48-BGA | 3.3V | Commercial |
1Mb | 64Kx16 | MR0A16AMA35R | 48-BGA | 3.3v | Commercial |
1Mb | 64Kx16 | MR0A16ACYS35 | 44-TSOP | 3.3V | Industrial |
1Mb | 64Kx16 | MR0A16ACYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | Industrial |
1Mb | 64Kx16 | MR0A16ACMA35 | 48-BGA | 3.3V | Industrial |
1Mb | 64Kx16 | MR0A16ACMA35R | 48-BGA | 3.3v | Industrial |
1Mb | 64Kx16 | MR0A16AVYS35 | 44-TSOP | 3.3V | Extended |
1Mb | 64Kx16 | MR0A16AVYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | Extended |
1Mb | 64Kx16 | MR0A16AVMA35 | 48-BGA | 3.3V | Extended |
1Mb | 64Kx16 | MR0A16AVMA35R | 48-BGA | 3.3v | Extended |
1Mb | 64Kx16 | MR0A16AMYS35 | 44-TSOP | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 |
1Mb | 64Kx16 | MR0A16AMYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 |
1Mb | 128Kx8 | MR0A08BYS35 | 44-TSOP | 3.3V | Commercial |
1Mb | 128Kx8 | MR0A08BYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | Commercial |
1Mb | 128Kx8 | MR0A08BMA35 | 48-BGA | 3.3V | Commercial |
1Mb | 128Kx8 | MR0A08BMA35R | 48-BGA | 3.3v | Commercial |
1Mb | 128Kx8 | MR0D08BMA45 | 48-BGA | 3.3VDD, 1.8IO | Commercial |
1Mb | 128Kx8 | MR0D08BMA45R | 48-BGA | 3.3v | Commercial |
1Mb | 128Kx8 | MR0DL08BMA45 | 48-BGA | 2.7VDD min, 1.8IO | Commercial |
1Mb | 128Kx8 | MR0DL08BMA45R | 48-BGA | 2.7-3.6v | Commercial |
1Mb | 128Kx8 | MR0A08BCYS35 | 44-TSOP | 3.3V | Industrial |
1Mb | 128Kx8 | MR0A08BCYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | Industrial |
1Mb | 128Kx8 | MR0A08BCMA35 | 48-BGA | 3.3V | Industrial |
1Mb | 128Kx8 | MR0A08BCMA35R | 48-BGA | 3.3v | Industrial |
本文关键词:Everspin
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