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选择MRAM芯片作为工业PLC模块缓存RAM

2019-04-15 15:10:23

市面上的工业PLC模块都有以电池为后备电源的RAM的设计,先推荐一款非易失性的存储芯片,可以作为工业PLC模块RAM缓存RAM,可以替换以电池为后备电源的SRAM存储解决方案

Everspin MRAM芯片

一款非易失性的磁性存储器,

MR0D08B和MR0A16A为1,048,576位磁阻随机存取存储器 (MRAM)。Everspin MRAM支持双电源、串行SPI等各种规范,并有131,072字 x 8位或65,536字 x 16位两种构成方式。此系列MRAM拥有35ns或45ns的读/写周期(无写入延迟),以及出色的耐读/写能力。 

商业,工业和扩展的工作温度。
提供AEC-Q100 1级合格选项。
35ns读/写速度,无限耐力。
数据不挥发,保留20年。
断电时保留数据。
符合RoHS标准的封装

系列型号如下:

Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
1Mb 64Kx16 MR0A16AYS35 44-TSOP 3.3V Commercial
1Mb 64Kx16 MR0A16AYS35R 44-TSOP2 3.3v Commercial
1Mb 64Kx16 MR0A16AMA35 48-BGA 3.3V Commercial
1Mb 64Kx16 MR0A16AMA35R 48-BGA 3.3v Commercial
1Mb 64Kx16 MR0A16ACYS35 44-TSOP 3.3V Industrial
1Mb 64Kx16 MR0A16ACYS35R 44-TSOP2 3.3v Industrial
1Mb 64Kx16 MR0A16ACMA35 48-BGA 3.3V Industrial
1Mb 64Kx16 MR0A16ACMA35R 48-BGA 3.3v Industrial
1Mb 64Kx16 MR0A16AVYS35 44-TSOP 3.3V Extended
1Mb 64Kx16 MR0A16AVYS35R 44-TSOP2 3.3v Extended
1Mb 64Kx16 MR0A16AVMA35 48-BGA 3.3V Extended
1Mb 64Kx16 MR0A16AVMA35R 48-BGA 3.3v Extended
1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35 44-TSOP 3.3V AEC-Q100 Grade 1
1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35R 44-TSOP2 3.3v AEC-Q100 Grade 1
1Mb 128Kx8 MR0A08BYS35 44-TSOP 3.3V Commercial
1Mb 128Kx8 MR0A08BYS35R 44-TSOP2 3.3v Commercial
1Mb 128Kx8 MR0A08BMA35 48-BGA 3.3V Commercial
1Mb 128Kx8 MR0A08BMA35R 48-BGA 3.3v Commercial
1Mb 128Kx8 MR0D08BMA45 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO Commercial
1Mb 128Kx8 MR0D08BMA45R 48-BGA 3.3v Commercial
1Mb 128Kx8 MR0DL08BMA45 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO Commercial
1Mb 128Kx8 MR0DL08BMA45R 48-BGA 2.7-3.6v Commercial
1Mb 128Kx8 MR0A08BCYS35 44-TSOP 3.3V Industrial
1Mb 128Kx8 MR0A08BCYS35R 44-TSOP2 3.3v Industrial
1Mb 128Kx8 MR0A08BCMA35 48-BGA 3.3V Industrial
1Mb 128Kx8 MR0A08BCMA35R 48-BGA 3.3v Industrial

本文关键词:Everspin

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