中芯国际成功制出40nm ReRAM存储芯片

      以紫光为代表的中国公司正在斥资数百亿美元投入NAND、DRAM等存储芯片市场，2018年将推出国产3D NAND闪存，希望能够达到国家要求的芯片自给率要求。
      但是在NAND范畴，在研发和生产上中国公司比外国公司已经晚了20多年，更大的希望还是寄托于新一代存储技术上。
　　中芯国际（SMIC）日前正式出样40nm工艺的ReRAM（非易失性阻变式存储器）芯片，更先进的28nm工艺版也即将到来，这种新型存储芯片比NAND闪存快一千倍，耐用一千倍。
　　在存储芯片领域，NAND闪存是目前的绝对主流，保守点说三五年内它都会是电子设备存储芯片的主流选择，但研究人员早已开始探索研发新一代非易失性存储芯片了， Intel、美光研发的3D XPoint之前有说是基于PCM相变存储，也是新一代存储芯片范畴了，而今天说的ReRAM（非易失性阻变式存储器）更是代表性的非易失性存储器。
　　虽然它的名字中带RAM，不过ReRAM其实更像NAND闪存那样用作数据存储，但是它的性能更强，密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片（200mm2左右）即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。
　　提及ReRAM，不得不提的一家公司就是Crossbar，根据该公司资料，Crossbar技术首先由出生于中国的卢伟（Dr. Wei D. Lu）博士研发，他也是Crossbar的首席科学家和联合创始人。卢博士拥有中国清华大学物理学士学位，和德克萨斯州莱斯大学物理学博士学位。卢博士在ReRAM领域拥有十二年的研究经验，他先作为哈佛大学的博士后研究员，然后被任命为密歇根大学教授从事这项研究。他是纳米结构和设备行业的领先专家，包括基于双端电阻开关设备的高密度内存和逻辑系统、神经元电路、半导体纳米线设备和低维系统中的电子输运。
　　2016年这家公司获得了8000万美元的风投，中国公司也参与在内，同时Crossbar去年3月份也宣布进军中国市场，他们的合作伙伴就是SMIC中芯国际，将基于后者的40nm CMOS试产ReRAM芯片。根据该公司副总裁Sylvain Dubois所说，2016年内中芯国际已经开始给客户出样40nm工艺的ReRAM芯片，实现了该公司之前2016年内推出ReRAM的计划。
　　不仅如此，更先进的28nm工艺版ReRAM芯片也将在2017年上半年问世，只是Sylvain Dubois拒绝表态是否还是由SMIC生产，还是交给其他代工厂。
  

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