MR25H40CDC非易失性MRAM存储芯片

MR25H40CDC是由EVERSPIN科技公司推出的一款非易失性MRAM存储芯片，这款串行MRAM是可以兼容兼容串行EEPROM和串行闪存的读/写时序，拥有非常出色的耐读/写能力，没有读/写操作没有写入延迟的问题。
 
MR25H40CDC工作电压为3.3V,容量为4Mbit与富士通的MB85RQ4ML的容量一致，数据位宽8位，工作温度范围：-40℃ to +85℃，一款应用于工业级产品的非易失性存储器。
 
MR25H40CDC采用5 mm x 6 mm 8引脚DFN封装封装，并且都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。对于必须通过一小部分I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用，MR25H40CDC可以说是理想的存储器解决方案。
 
MR25H40CDC已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输领域。
 
Everspin科技是开发和制造独立式与嵌入式磁性随机存储器(MRAM)和集成磁（Integrated Magnetic）传感器的全球领导业者。在运算、存储、工业和办公自动化市场，已有越来越多的领导厂商采用Everspin MRAM技术开发最先进的产品。英尚微电子代理的Everspin的MRAM技术具高可靠性、快速读/写、即时开启、非挥发性、和无限次擦除等特性，现在Everspin的产品组合包括提供BGA和TSOP两种可选封装、容量从256Kb 到16Mb 的8位和16位并行I/O产品，以及采用DFN封装、容量从256Kb到1Mb的串行I/O产品。

本文关键词: Everspin MR25H40CDC

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