FRAM进不了主流内存圈子原因

      铁电内存（FRAM）在技术上的优势远远超越SRAM、DRAM和EEPROM，但由于高昂的生产成本让其在内存主流市场被传统内存碾压。20多年发展始终徘徊于主流市场的圈子之外。
      在1990年代中期人们认为铁电内存(FRAM，或FeRAM)将成为主流技术，但至今仍和大部分新内存技术一样，并没有如预期般迅速兴起。FRAM的内部运作原理与DRAM相似，与 SRAM不相上下的高速度以及如同闪存的非挥发性；首个成功的FRAM电路问世时，其通用功能就被业内人士认为可以在许多应用中替代SRAM、DRAM和EEPROM。
                                             
      “那样的情况根本就没有发生，”半导体产业分析师Jim Handy (来自Objective Analysis)在Cypress收购FRAM供货商Ramtron时指出：“FRAM技术比生产传统内存成本更加昂贵。”在80年代晚期，FRAM开发商因为不了解铁电材料的物理特性，而遭遇了许多问题。
      尽管经过一番周折，FRAM目前已经商业化量产，适合多种应用的不同产品线。Handy 在最近表示，有人觉察到：“FRAM是未来的技术主流，而且注定要维持那样的模式；FRAM在某一段时间的某些方面是具有一定潜力的，但还没有真正走向主流。”
     如同所有的内存技术那般，昂贵的成本是开拓市场的一大障碍；FRAM需要一层沉积在标准硅基板上的钙钛矿(Perovskite)晶体，钙钛矿晶体内含的元素会干扰硅晶体管，因此需要一个障碍层隔离钙钛矿与下方的硅基板。Hady表示，这种结构增加了FRAM组件的制造成本。
      市场对FRAM确实有一些需求；根据Research and Markets 约一年前发布的市场研究报告预测显示，全球FRAM市场在2013~2018年间可达到16.4%的复合平均年成长率(CAGR)，其低功耗特性是推动市场成长的关键力量。
      FRAM供货商包括现在归属于Cypress的Ramtrom、德州仪器(TI)以及富士通半导体(Fujitsu)，各家业者都扩大了在FRAM硬件与软件方面的研发投资，因此提升了FRAM的性能与效益，也扩展了其应用领域。