Everspin非易失性MRAM切换技术

Everspin在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。  在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。下面介绍关于切换MRAM技术 
 

切换MRAM使用1个晶体管，1个MTJ单元来提供简单的高密度存储器。Everspin使用获得专利的Toggle电池设计，可提供高可靠性。数据在温度下20年始终是非易失性的。

在读取期间，传输晶体管被激活，并且通过将单元的电阻与参考器件进行比较来读取数据。在写入期间，来自写入线1和写入线2的磁场会在两条线的交点处写入单元，但不会干扰任一条线上的其他单元。

EVERSPIN MRAM产品采用一个晶体管，一个磁隧道结（MTJ）存储单元作为存储元件。MTJ由固定的磁性层，薄的电介质隧道势垒和自由磁性层组成。当对MTJ施加偏压时，被磁性层自旋极化的电子将通过称为隧穿的过程穿过介质阻挡层。
 

当自由层的磁矩平行于固定层时，MTJ器件具有低电阻，而当自由层磁矩与固定层矩反平行时，MTJ器件具有高电阻。

MRAM是一种利用电子自旋的磁性提供非易失性而不会磨损的存储器。MRAM将信息存储在与硅电路集成的磁性材料中，从而在单个无限耐用的设备中提供SRAM的速度和Flash的非易失性。 

 
Everspin MRAM器件旨在结合非易失性存储器和RAM的最佳功能，为越来越多的电子系统提供“即时接通”功能和断电保护。 
 
 本文关键词： MRAM

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