EVERSPIN非易失性存储器视为极具吸引力的嵌入式技术

相关研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可节省高达90%的功耗；如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM，则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸，这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有力竞争者。而相较于传统的NAND闪存，PCRAM或ReRAM存储级存储器更可提供超过10倍以上的存取速度，更适合在云端对资料进行存储。 MRAM是一种非易失性存储技术，从20世纪90年代开始发展。该技术具备接近静态随机存储器的高速读取写入能力，快闪存储器的非易失性、容量密度和与DRAM几乎相同的使用寿命，但平均能耗却远低于DRAM，而且可以无限次地重复写入。
 

MRAM技术之所以受到业界追捧，原因在于随着业界持续向更小技术节点迈进，DRAM和NAND闪存(Flash)正面对着严苛的微缩挑战，MRAM因此被视为有望取代这些内存芯片的独立内存组件。考虑到MRAM具备快速读/写时间、高耐受度以及强劲的保留能力，也被视为极具吸引力的嵌入式技术，适用于取代物联网(IoT)设备中的嵌入式闪存和3级高速缓存SRAM。
 
它不是用来替代闪存的，而是用来处理运算过程中产生的数据。MRAM具有高速读写能力，同时也能永久地保存数据，所以它属于RAM，又能兼顾非易失性。

本文关键词： MRAM 

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