三星实现量产10纳米8GB DDR4内存
2017-02-14 14:04:44
英特尔曾经信誓旦旦地说到，摩尔定律已死。三星用实际行动证明，摩尔定律对DRAM产业仍然有效。
近年来，关于摩尔定律的死亡传言被越传越大。近日，三星电子发布业界第一款10纳米8Gb DDR4 DRAM芯片颗粒。同时韩国厂商宣布，他们已经领先于SK海力士和美光实现10nm DDR4芯片的量产。
在新闻发布会上三星表示，新的DRAM支持3200Mbps数据传输频率，相对20nm工艺的DDR4 DRAM颗粒效能提升约20%，同时，其功耗降低10%至20%，高效低耗的特性适用于新一代HPC（ 高效能运算 ） 、主流电脑、大型企业网络以及服务器市场。
三星在上一年发布了用于固态硬盘和其他存储芯片的10nm NAND闪存，但将DRAM减小到如此小的尺寸会更加困难。这是因为内存的不稳定性需要电容器跟随着晶体管存在，也就是所有这些元件都需要进行缩小。此外，三星还必须“在几十纳米宽的晶体管上堆叠极窄的圆柱形电容器以存储大电荷，从而创造超过80亿个单元”。这样一来，制作难度又被提高了好几倍。
三星声称，他们利用现有氟化氩浸没式光刻技术所以无需额外使用极紫外设备，就可以解决DRAM扩展的问题。有专业分析师认为，三星改进了自己的四重图形技术，用光刻曝光来增加芯片功能的分辨率，该技术广泛的应用于NAND闪存的制作上。并指出，摩尔定律的延续意味着我们将继续得到更低价的DRAM。
三星将于今年研发生产SIMM模块，容量从4GB的笔记本电脑到最高128GB企业级服务器不等，同时延长其20纳米DRAM阵容与新的DRAM产品组合贯穿全年。在未来三星将推出10nm高密度超一流的移动DRAM产品，以解决超高清智能手机市场。
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