EVERSPIN的STT-MRAM提供了卓越的替代方案

下一代企业级SSD中基于DRAM的SSD控制器架构。 STT-MRAM使SSD设计人员能够优化占地面积，性能，耐用性和可靠性，同时降低复杂性并实现高级功能。
 
STT-MRAM可以在SSD中提供更大的写缓冲区，而保持能量的存储量却更少。通过大大减少停电保护所需的能量存储量，可以使用与超级电容器或电池相反的高度可靠的铝或钽电容器来实现能量存储。消除了对温度敏感和有寿命限制的超级电容器和电池的需求，从而提高了SSD的可靠性和可制造性。这消除了由于使用超级电容器和电池而产生的其他制造限制或潜在的现场服务问题。
 
除了掉电保护之外，在低延迟STT-MRAM中实现的更大的写缓冲区可以通过在允许主机回压之前缓冲更多的数据来大大提高正常操作期间的突发写性能。增加的写缓冲区大小还可以实现更多的写合并，从而减少写放大并提高闪存的耐久性。
 
STT-MRAM提供分层FTL的非易失性存储，并简化了控制器设计，同时减少了电源故障后的恢复时间。除了支持压缩和重复数据删除表之外，STT-MRAM的使用还为本地低延迟CMB实现提供了持久存储，同时减轻了向SSD驱动器添加这种广泛功能的任务。EVERSPIN的STT-MRAM现在已经投入生产，可以加速SSD的性能，可靠性和密度。


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