美光将退出NOR Flash市场

      近期有消息称美光将会退出NOR Flash市场，拟处理旗下NOR芯片工作，并传出华邦电和兆易创新可能是收购的买家。美光内部证实确实有这方面的计划，但并未透露更多的细节。华邦电总经理詹东义则说还没听说此事，但是会郑重地进一步研究。
      随着数据存储需求的不断扩大，存储芯片需求量不断增加，2016年DRAM和NAND Flash产品严重缺货，NAND Flash涨价将近一倍。相比之下，NOR Flash市场需求和价格显得门可罗雀。美光调整业务架构也是为了集中精力于DRAM和NAND Flash市场，更有效的利用现有优势。
    2017年初NAND Flash和DRAM市场供货紧张未见明显改善，而且NAND Flash技术正在加快向3D NAND过渡，DRAM制程也要向10nm级转换，对技术、量产等的要求不断提高。美光作为第三大DRAM生产商，也是关键的NAND Flash供应商，2017年在保证DRAM和3D NAND切换顺利的同时，还将以提升生产效率为目标。
      美光(Micron)合并华亚科后，美光的DRAM重要生产基地设立在台湾，内部设定是以三星为目标追赶。美光执行长去年底称要加大对台湾的投资，目前台湾美光员工约6000人，将再招集1000人加入台湾美光，加快DRAM先进制程技术的发展。
      据悉，美光台中厂和美光桃园厂目前分别生产25nm和20nm制程技术，台中厂会率先导入美光最先进的1xnm制程，目前已经在进行制程转换，2016年、2017年预计投入20亿美元，直接由25nm转进1xnm制程，预计下半年1xnm投片量可过半。
      NAND Flash方面，美光的32层3D NAND为目前国内市场各品牌SSD的主要货源之一，64层3D NAND已于2016年12月送样，2017年将逐步进入量产阶段。新加坡IMFS Fab10N工厂在2016年初逐步增加32层3D NAND，减少16nm MLC比例，2017年逐步转向64层3D NAND生产。新加坡IMFS Fab10X预计在2017年Q1开始试产，主要生产64层3D NAND，大连Fab68也预计2017年中期转至64层量产。

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