​美国ISSI芯片公司简介

美国ISSI公司总部位于加利福尼亚州米尔皮塔斯，在世界九个地区设有全球办事处。 ISSI公司是为以下主要市场设计，开发和销售高性能集成电路的技术领导者：汽车和通信，数字消费者以及工业和医疗。我们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。我们以具有成本效益的高品质半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期合作关系。即使在生产能力紧张的情况下，我们仍然是存储器产品（包括低密度和小批量产品）的长期承诺供应商。
 
我们的外包制造模型基于与亚洲和国内主要铸造厂的联合技术开发关系的历史。我们还将在部分铸造厂进行战略股权购买。通过在中国，韩国和台湾地区增加设计团队，我们扩大了在重要的亚洲市场的影响力，目前我们在这些地区雇用了80多名设计，产品和测试工程师。这些设计团队是对位于加利福尼亚州圣何塞总部的核心工程和产品管理团队的补充。
 
近年来对精密半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车，通信，数字消费，工业和医疗市场。这些产品需要增加内存内容，以帮助处理大量数据。

   
跨各种终端市场对高性能存储设备的需求不断增长，这为高性能存储集成电路（如ISSI公司）的集中供应商提供了巨大的机会。我们利用这一机会的战略的关键要素是：
 
与领先的铸造厂建立协作关系。我们与主要晶圆代工厂以高度协作的方式合作，以开发领先的工艺技术，并在行业升级周期中更安全地获取晶圆产能。
 
致力于成为我们产品的长期供应商。我们的无晶圆厂采购模式使我们能够适应小批量产品运行，并为满足客户需求提供长期供应。继续开发和提供高性能产品。我们与客户一起确定下一代产品的内存要求，然后相应地集中精力进行开发。
 
扩大与客户紧密联系的亚洲开发团队。我们打算通过扩大在台湾，韩国和中国大陆的工程开发团队，继续利用我们在亚洲的广泛经验。
 
进一步渗透行业领先客户。我们利用生产高质量存储产品的专业知识，通过行业领先的客户渗透到我们的目标市场，我们相信这些客户定义了未来内存需求的方向。
 
为主要市场开发精选的非内存产品。为了增加产品的多样化并提供与我们的SRAM，DRAM和闪存专业知识相辅相成的产品，我们正在开发精选的非内存产品以供我们的主要市场使用。

ISSI代理英尚微电子SRAM芯片型号

Density	Org.	Part Number	Vcc.	Speed(ns)	Pkg(Pins)	产品类型
16Mb	1Mx16/2Mx8	IS62WV102416DALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	TSOP1(48)	16Mb LP SRAM芯片
16Mb	1Mx16	IS62WV102416ALL/BLL	1.65-3.6V	25,35	TSOP1(48),BGA(48)	16Mb LP SRAM芯片
16Mb	2Mx8	IS62WV20488ALL/BLL	1.65-3.6V	25,35	TSOP1(48),BGA(48)	16Mb LP SRAM芯片
16Mb	2Mx8	IS62WV20488EALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	BGA(48)	16Mb LP SRAM芯片
16Mb	1Mx16	IS62WV102416EALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	BGA(48)	16Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS62C10248AL	5V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS62WV10248DALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	512Kx16	IS62WV51216ALL/BLL	1.65-3.6V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	512Kx16	IS62C51216AL	5V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	512Kx16	IS62/65WV51216EALL/EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS62WV10248EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS65WV10248EALL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS65WV10248EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS62/65WV10248EALL/EBLL	1.65-3.6V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)	8Mb LP SRAM芯片

 
 
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