三星、海力士争抢未来存储市场

      据悉，SK海力士将在锡启动第二工厂建设，二期投资36亿美元，估计未来应该会做Flash；三星电子于2017～2018年，将对西安3D NAND Flash厂加大投资力度，业界人士预估共将投资约5兆韩元（约43．5亿美元），以迎接存储芯片场史上最大需求浪潮。   
      业内人士都能看出来这是在针对中国半导体产业，目的是抑制紫光长江存储的建设发展。半导体产业两大国际顶级巨头，同时针对紫光，必定有备而来。实际上巨头巨额投入，资源、人才、客户的争抢必然走入死胡同，低价竞争必然不可取，不知道紫光如何应对？
      紫光现在手握大量资金，却一直没有遇到好的项目，去年底强势并购中芯，中芯董事长周子学以紫光旗下 IC 设计公司展讯、紫光国芯为由，指出其将与中芯、高通等客户产生利益冲突，力保中芯的独立性，才止住紫光并中芯的计划。
因为DRAM价格因供给短缺而以高角度上扬之赐，韩国两大存储器厂三星与SK海力士，今年半导体营业利润年增五成，来到史无前例的25兆韩圜。
       存储器市况从去年一路走高，2017年供给有限，而市场需求增加的状况下，存储器今年有望延续涨势。近期DRAM涨势主要由三星主导，且涨势仍未平息，首季标准型DRAM涨幅逾三成，服务器用DRAM涨幅在25~30%、移动DRAM约15~20%。三大应用领域同飙，让主要供应商SK海力士、三星、美光去年营运翻身，股价也大爆发，尤其美光股价大涨1.3倍，格外受到瞩目。
      紫光武汉厂动工的节点，三星、海力士同时加码存储器。争抢未来市场的动机明显，武汉新芯（长江存储）未来竞争将会难上加难，技术、市场、人才可谓没可能与两大巨头抗衡，依靠资金换未来的方法也不知道能否成功。