三星推出10nmSRAM存储器

      据韩国知名媒体报道，三星半导体公司现在已经研发出了世界上第一颗基于10nm FinFET工艺的SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机存取存储器。其实IBM半导体联盟在今年7月份的时候就创造出了世界上第一个10nm的晶圆，但是由于10nm工艺的技术难题，很多半导体厂家都相继推迟了它们的10nm工艺的计划。

                                                  

       现在的SRAM大多数都是用于CPU的缓存，并且基于10nm的SRAM相比于14nm工艺而言，它的面积能够减少30%左右，这就意味着可以一定程度的降低CPU的功耗与CPU发热，同时能够以更小的面积塞进更多缓存，能够很有效的提高CPU的性能。
       就现在各家的10nm进展而言，IBM公司的商用10nm工艺最快也要到2018年的时候才会正式面世，Intel公司的10nm也已经计划推迟到2017年发布，台积电方面则是宣布将在2017年第一季度量产10nm的CPU，而且根据三星公司现在的计划与进展，10nm的量产CPU最快将会在2016年底实现，也许Galaxy S8还能赶上10nm SoC的首发也说不准。