1Mbit国产异步低功耗SRAM芯片EMI501HB08PM-55I

随着微电子技术的迅猛发展，SRAM存储器逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展中，SRAM由于其广泛的应用成为其中不可或缺的重要一员。
 
随机存储器最大的特点就是可以随时对它进行读写操作，但当电源断开时，存储信息便会消失。SRAM的数据存储方式是依靠一对反相器以闭环形式连接的存储电路，它的代码的读出是非破坏性的，并不需要相应的刷新电路，因此它的存取速度比DRAM要快。但是SRAM需要用更多的晶体管来存储一位的信息（采用六管单元或四管两电阻单元储存一位数据），因而其位密度比其它类型的低，造价也高。静态存储器多用于二级高速缓存。
 
介绍一款伟凌创芯（EMI）1Mbit国产异步低功耗SRAM芯片EMI501HB08PM-55I，该产品采用EMI先进的全CMOS工艺技术制造。支持工业温度范围-40℃~85℃。EMI501HB08PM-55I采用32SOP芯片级封装，电源电压为4.5V~5.5V，以实现系统的用户灵活性设计。还支持低数据保留电压，用于以低数据保留电流进行电池备份操作。
 
特征
●工艺技术：90nm Full CMOS
●组织：128KX8bit
●电源电压：4.5V~5.5V
●三态输出，TTL兼容
●标准32SOP
●工业操作温度
 
关于伟凌创芯（EMI）
安徽伟凌创芯微电子有限责任公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注SRAM存储、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售。公司拥有国际知名设 计专家及工作经验丰富工程师研发团队，与国内知名前后道生产合作伙伴紧密合作。深挖客户应用，依托强大的研发实力，融合世界前沿的技术理念快速响应客户的变化需求，为行业客户提供高品质、低成本，供货持续稳定的自主知识产权的集成电路产品，产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。


本文关键词：EMI501HB08PM-55I

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