灵动微MM32SPIN系列是电机与电源相关应用设计的专用产品,MM32SPIN222C使用高性能的ARM®Cortex®-M0为内核,工作频率达72MHz,内置FLASH高速存储器,丰富的I/O端口和外设连接到外部总线。工作电压为3V∼16V,工作温度范围包含-40◦C∼+85◦C常规型。多种省电工作模式保证低功耗应用的要求。丰富的外设配置使MM32SPIN222C微控制器适合于医疗和手持设备、工业应用等多种应用场合。代理商英尚微电子提供样品测试以及必要的FAE支持。
MM32SPIN222C产品特性
•内核与系统
–32位ARM®Cortex®-M0处理器内核
–工作频率高达72MHz
–单指令周期32位硬件乘法器
–硬件除法器(32Bit)
•栅极驱动器(GATE-DRIVER)
–工作电压范围:3V∼16V
–三相栅极驱动器
–驱动电流:最大1.5A(Continuous)
–UVLO保护
–Total DriverH+LRdson:0.75Ω
–集成5VLDO线性稳压器,支持输出5V电压给MCU和外部电路
•存储器
–高达32K字节的闪存程序存储器
–高达4K字节的SRAM
•时钟、复位和电源管理
–2.0V∼5.5V供电
–上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD)
–外部2∼24MHz高速晶体振荡器
–内嵌经出厂调校的48/72MHz高速振荡器
•低功耗
–睡眠(sleep)、停机(stop)和待机模式(standby)
•1个12位模数转换器,1μS转换时间(多达9个输入通道)
–转换范围:0∼VDDA
–支持采样时间和分辨率配置
–片上温度传感器
–片上电压传感器
•1个比较器
•1个5通道DMA控制器
–支持的外设:Timer、UART、I2C、SPI和ADC
•多达13个快速I/O端口:
–所有I/O口可以映像到16个外部中断
–所有端口均可输入输出5V信号
注:VDD=5V
•调试模式
–串行调试接口(SWD)
•9个定时器
–1个16位4通道高级控制定时器,有4通道PWM输出,以及死区生成和紧急停止功能
–1个16位定时器和1个32位定时器,有高达4个输入捕获/输出比较,可用
于IR控制解码
–2个16位定时器,有1个输入捕获/输出比较和1组互补输出,死区生成,紧急停止,调制器门电路用于IR控制
–1个16位定时器,有1个输入捕获/输出比较
–2个看门狗定时器(IWDG和WWDG)
–1个Systick定时器:24位自减型计数器
•多达3个通信接口
–1个UART接口
–1个I2C接口
–1个SPI接口
•采用QFN32封装
产品功能和外设配置
外围接口 |
MM32SPIN222C |
闪存-K字节 |
32 |
SRAM-K字节 |
4 |
定时器 |
通用(16 bit) |
1 |
通用(32 bit) |
1 |
基本 |
3 |
高级 |
1 |
通讯接口 |
UART |
1 |
SPI |
1 |
12C |
1 |
GPIO端口数 |
13 |
12位ADC |
个数 |
1 |
通道数(channels) |
9 |
比较器 |
1 |
CPU频率 |
72 MHz |
工作电压 |
3.0V~16V |
封装 |
QFN32 |
ARM的Cortex-M0内核并内嵌(Flash)和SRAM
ARM®的Cortex®-M0处理器是一个可配置的并具有多级流水线的32位精简指令集处理器,具有高性能和低功耗的特点。
内置闪存存储器
最大32K字节的内置闪存存储器,用于存放程序和数据。
内置SRAM
最大4K字节的内置
SRAM
低功耗模式
产品支持低功耗模式,可以在要求低功耗、短启动时间和多种唤醒事件之间达到最佳的平衡。
睡眠模式
在睡眠模式,只有CPU停止,所有外设处于工作状态并可在发生中断/事件时唤醒CPU。
停机模式
在保持SRAM和寄存器内容不丢失的情况下,停机模式可以达到最低的电能消耗。在停机模式下,HSI的振荡器和HSE晶体振荡器被关闭。可以通过任一配置成EXTI的信号把微控制器从停机模式中唤醒,EXTI信号可以是16个外部I/O口之一、PVD的输出的唤醒信号。
待机模式
待机模式可实现系统的最低功耗。该模式是在CPU深睡眠模式时关闭电压调节器。内部所有的1.5V部分的供电区域被断开。HSI和HSE振荡器也都关闭,可以通过WKUP引脚的上升沿、NRST引脚的外部复位、IWDG复位唤醒或者看门狗定时器唤醒并复位。SRAM和寄存器的内容将被丢失。
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本文关键词:MM32SPIN222C
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