MRAM具有FRAM高写入速度和高耐用性优势

在最近几年，就有许多新技术被称为闪存杀手。有些人甚至提出了更高的标准，目标不亚于通用内存，一种可以进入内存层次结构的方法，最终取代 DRAM 和 SRAM。这很可能会发生，但与此同时，闪存的统治仍在继续，未来仍不明朗。

MRAM基于磁隧道结(MTJ)的特性，与FRAM的铁电材料非常相似，MTJ可以根据（磁）极化在低电阻和高电阻状态之间切换细胞。MTJ的持续极化状态可以通过磁场（需要相当高的电流）或通过自旋极化电流（可以低得多）来改变。前一种技术称为Toggle MRAM，而后者称为STT-MRAM。
 
在新兴NVM市场中的当前位置来看，MRAM很可能正在取代NOR闪存（甚至可能是SLC NAND闪存）。它具有许多FRAM优势（高写入速度、低能量、高耐用性），没有相关的缩放问题（当前自旋转移矩(STT)MRAM实施存在于28nm工艺技术节点上，预计短期内会进一步缩小规模.
 
早在2016年，Everspin就通过其Quad SPI切换MRAM存储器向嵌入式开发人员广泛使用了MRAM技术。从那时起，产品组合不断发展，一个1Gbit 28nm STT-MRAM与DDR接口@1333MT/s更证明该技术确实可以扩展（速度和密度）并提供可行的闪存的替代品。

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