NV-SRAM相对于FRAM存储器技术的主要优势

Microchip的电池供电SRAM器件具有真正的无限读写周期、更低的待机电流、更宽的电压范围，并且可以通过SPI或SDI串行总线访问以实现快速数据传输。通过简单地添加电池，NVSRAM即使在断电后也可以保留数据。虽然FRAM是用于长期数据存储的存储器，但NVSRAM非常适合将数据移入和移出应用程序，而无需担心读写周期、磨损和功耗。
 
表1总结了FRAM和NVSRAM之间的主要区别。
 

	NVSRAM(SPI接口)	FRAM(SPI接口)
电源电压	2.5-5.5V	2-3.6V
待机电流	4μA	90μA
最大数据速度	20MHz	40MHz
串行双接口	Yes	No
无限读/写周期	Yes	No
数据保留	直到电池耗尽	10年
温度范围	工业：-40°C 至 +85°C 储存：-65°C 至 +150°C	工业：-40°C 至 +85°C 储存：-55°C 至 125°C
封装	8-Lead SOIC 8-Lead PDIP 8-Lead TSSOP	8-Pin SOIC
价格	低	高

 
NV-SRAM的优势
 
有几个关键特性使NVSRAM成为比FRAM技术更好的解决方案。
•无限写入周期：NVSRAM具有真正的无限写入周期，而FRAM存储单元会随着每次写入而磨损。
•非破坏性读取：FRAM存储器的工作方式是，对于每次读取，数据都会被破坏，并且必须将其写回单元。这实际上计入了内存的写入周期数。但是NVSRAM单元的工作方式意味着没有破坏性读取，并且写入周期的数量确实是无限的。
•数据保留：FRAM可以存储数据十年。NVSRAM数据保留仅受所选电池的限制。
•模式寄存器：NVSRAM使用模式寄存器来选择操作模式：字节、页或顺序。默认状态是连续的，其中内部地址计数器自动递增，页面边界被忽略。在页面模式下，读取和写入限制为一页。当到达页面的最后一个地址时，内部地址计数器将翻转到页面的开头。在字节模式下，只能读取或写入一个字节到设备

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