瑞萨成功开发22nm MRAM用于替换MCU中的闪存？

瑞萨电子已开发出用于嵌入式自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的电路技术，该芯片具有快速读写操作，采用22纳米工艺制造。芯片包括一个32兆位(Mbit)嵌入式MRAM存储单元阵列，可在150℃的最高结温下实现5.9纳秒(ns)的随机读取访问，以及5.8兆字节/秒的写入吞吐量（MB/秒）。
 
随着物联网和人工智能技术的不断进步，端点设备中使用的微控制器单元(MCU)有望提供比以往更高的性能，因此需要用更精细的工艺节点制造。与在FEOL中制造的闪存相比，采用BEOL制造的MRAM对于亚22nm工艺具有优势，因为它与现有的CMOS逻辑工艺技术兼容，并且需要更少的额外掩模层。但是，MRAM的读取余量比闪存小，这会降低读取速度。CPU工作频率与非易失性存储器的读取频率之间的较大差距也是一个挑战，因为它会降低MCU性能。
 
MRAM还可以实现比闪存更短的写入时间，因为它在写入操作之前不需要擦除操作。但是需要进一步提高速度，以缩短端点设备所需的无线(OTA)更新的系统停机时间，并降低最终产品制造商为MCU编写控制代码的成本。
 
为了应对这些挑战并响应市场对更高32位MCU性能的需求，瑞萨电子开发了以下新电路技术，以在MRAM中实现更快的读写操作。


本文关键词：32位MCU,MRAM

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