铁电存储器FRAM

铁电存储器称FRAM或FeRAM，FRAM采用铁电晶体材料作为存储介质，利用铁电晶体材料电压与电流关系具有特征滞后回路的特点来实现信息存储。
     
FRAM技术特点：
非易失性：断电后数据不会丢失，是非易失性存储器；
读写速度快：无延时写入数据，可覆盖写入；
寿命长：可重复读写，重复次数可达到万亿次，耐久性强，使用寿命长；
功耗低：待机电流低，无需后备电池，无需采用充电泵电路；
可靠性高：兼容CMOS工艺，工作温度范围宽，可靠性高。
 
FRAM产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。

本文关键词：铁电存储器,FRAM

上一篇文章：灵动微星辰STAR-MC1处理器MM32F52系列已批量供货

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。